據外媒Business報道稱(chēng)，三星正考慮對其在中國西安興建的二期半導體工廠(chǎng)進(jìn)行額外投資。據消息人士透露，三星計劃明年將存儲器芯片設施的資本支出小幅增加至65億美元（約合7.78萬(wàn)億韓元），而計劃是將增加的這部分資金用于西安二期半導體工廠(chǎng)的額外投資，預計三星會(huì )在年底公布投資計劃。
據悉，三星在中國西安一期工廠(chǎng)于2013年建設，2014年第一代V-NAND量產(chǎn)，用于生產(chǎn)先進(jìn)的3D NAND。2018年3月，三星將在此后的3年內投資70億美元新建二期項目，根據建廠(chǎng)進(jìn)度，該工廠(chǎng)預計在2019年底建設完工后，設備將搬入并開(kāi)始量產(chǎn)。
有消息稱(chēng)，三星西安二期工廠(chǎng)已安裝部分設備并開(kāi)始試運行，以檢查量產(chǎn)前的情況，預計將在2020年2月開(kāi)始批量生產(chǎn)。三星除了西安二期工廠(chǎng)，位于平澤工廠(chǎng)不遠處所新建的P2 Project建設也基本完成，已進(jìn)行了少量的設備投資，原本三星計劃在2019下半年進(jìn)行設備安裝，但由于市場(chǎng)需求低迷，以及貿易關(guān)系動(dòng)蕩等因素影響，所以延遲到2020年第一季度進(jìn)行設備安裝。
一般新工廠(chǎng)投產(chǎn)前，至少需要2-3個(gè)月設備準備時(shí)間，隨著(zhù)技術(shù)的不斷提升，尤其是3D技術(shù)向100層以上升級，出現量產(chǎn)等問(wèn)題的幾率增加，所以要求的精密度也越來(lái)越高，這也是為什么原廠(chǎng)不斷投資建廠(chǎng)的原因之一。
2019年8月，三星宣布推出首個(gè)100+層且單棧（Single-stack）設計的新的V-NAND，突破了目前3D NAND堆疊的限制，還計劃從2020年開(kāi)始在韓國平澤工廠(chǎng)擴大第六代V-NAND生產(chǎn)，以更好地滿(mǎn)足全球客戶(hù)的需求。
三星作為NAND Flash市場(chǎng)排名第一的廠(chǎng)商，其新廠(chǎng)規劃、量產(chǎn)進(jìn)程等備受市場(chǎng)關(guān)注，因為這將直接影響到NAND Flash市場(chǎng)供需變化。2019上半年由于產(chǎn)能供應過(guò)剩和市場(chǎng)需求低迷，導致NAND Flash和DRAM價(jià)格雙雙下滑，雖然7月份市場(chǎng)價(jià)格和需求均有所反彈，但是依然未能改變原廠(chǎng)財報同比大跌的頹勢。
日前，三星公布了第三季財報初步數據，初步預估營(yíng)收為62兆韓元，同比減少5.3%，營(yíng)業(yè)利潤則同比下滑56%。美光第四季財季凈利潤5.6億美元，不僅環(huán)比下滑33%，更是同比大跌了87%。
就目前而言，三星無(wú)論是西安二期還是平澤二期工廠(chǎng)，都將在2020年上半年投入量產(chǎn)3D NAND，所以短期內對市場(chǎng)供應影響有限。
三星新工廠(chǎng)選擇在2020年投產(chǎn)，除了有助于緩解當前市場(chǎng)供過(guò)于求的市況外，2020年5G手機將掀起一波換機需求，而中國是重要的市場(chǎng)，同時(shí)對大容量NAND Flash需求也會(huì )增加，在貿易緊張的關(guān)系下，三星加大在中國新工廠(chǎng)的投資，將可更好的滿(mǎn)足中國市場(chǎng)需求。
消息來(lái)源：騰訊科技
01月07日 18:14
